اخلاء مسؤولية | DISCLAIMER
سوف نشرح في هذه المشاركة :
طريقة فحص نقاط تماس ذاكرة الأيفون NAND FLASH
باستعمال راسم الإشارة الأسيلوسكوب
وكيفية التعرف على المسار الذي يوجد به الخلل
?بعض الملاحظات المهمة :
التعامل مع الذاكرة يكون عند فشل برمجة الجهاز
وظهور أخطاء الأيتونز المشهورة : Error 4014,4013,40,9,14
اللجوء إلى راسم الاشارة يعتبر مهما في تشخيص أعطال الأجهزة الإلكترونية:
ومنها الهواتف الحديثة سامسونغ وغيرها وليس حكرا لتشخيص أعطال الأيفون,
لأن المقاومة التي في ظاهرها سليمة بين نقطة الفحص مع الأرضي
لا تدل بالضرورة على صلاحية المسار.
الفحص يشمل جميع نقاط تماس الذاكرة
مع الأخذ بالإعتبار نقاط الأرضي والنقاط الغير متصلة
الجهاز الذي تمت عليه عملية الفحص : أيفون 6
صورة1
صورة 2
?طريقة الفحص :
يتم وصل دائرة إلكترونية (الدائرة تم تصميمها)
وقريبا سوف يتم نشرها وشرح طريقة عملها
⬅️بها 4 مخارج :
2 نحو راسم الإشارة
2 نحو اللوحة محل الفحص :
واحدة نحو الأرضي والأخرى إلى نقطة الفحص
⬅️مخرج لتغذية الدائرة.
بعد ضبط الأسيلوسكوب:
سوف يتم معاينة تغيرالجهد مع تغيرالتيارعلى المسار المفحوص الذي يعتبر حملا (load)
?تحليل عمليات الفحص :
مقارنة الرسومات التي تظهر على الأسيلوسكوب مع رسومات الجهاز السليم
والمنحنيات التي لا تتطابق فيما بينها تدل قطعا على خلل في المسار الذي يصل إلى تلك النقطة.
في مثالنا الذي أرفقناه بالصور الخلل كان في النقطة : C5
وهي واحدة من 60 نقطة تم تحييد أغلبهم لتتطابق رسوماتهم
بالنسبة لـ C5 نستطيع معاينة الاختلاف في المنحنيات,
الآن نقوم بتتبع المسار انطلاقا من تلك النقطة
ونقوم بفحص جميع العناصر المرتبطة بها :
– مقاومة على التوالي متصلة بمتكاملة التغذية
– المعالج CPU
هناك نقاط تماس عديدة NAND مرتبطة بالمعالج مباشرة CPU بالتالي أي خلل فيه يظهر مباشرة
على الأوسيلوسكوب
لا يقتصر الفحص على ذاكرة الأيفون بل يمكن فحص جميع الدوائر المهمة بنفس الطريقة ومنها TRISTAR
صورة 3
We have explain in this post
How to check the NAND FLASH
Using an oscilloscope
And how to identify bugs
بارك الله بك